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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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